盛夏已過，初秋開場

十一月的高的溫度隔絕如期不散生活水平也免接受被混亂的運作鎮魂

高壓變壓器大公率(6500V/3000A)IGBT檢查難？伴近年來的項目訴求急、任務卡重、請求高公程師們有壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

鑒于SiC與Si功能指標的多種，SiC MOSFET的閥值電阻具有著時快時慢定義，在電子元件做實驗的時候整個過程中閥值電阻可能會有很明顯漂移，促使其電功能做實驗的時候及其高溫作業柵偏做實驗的時候后的電做實驗的時候效果難治依靠于做實驗的時候先決條件。往往閥值電阻的準確性做實驗的時候，暫行正規性做實驗的時候措施有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻器 RDSon為導致電子元件事業時導通衰減的一極為重要表現產品參數，其數量會隨 VGS 各種T的影響而變。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流養護會將線電壓還直流電壓限止在SOA地區，逃避元件損毀或炸管。

測試圖片要求：800V 恒壓 10μA 限流

測試軟件要求：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電流值測試電源線路將加快導通額定電壓測定誤差；? SOCKET與PIN沾染阻值器、軟件測試引線導通阻值器。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流量正弦波形自激振蕩；? 電纜線等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普通型同軸通信電纜的等效電解電容與DUT串聯，SMU軟件測試時提高或平穩時長；? 三同軸電纜線等效電感可以說為0。

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