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PMDT功率器件動態參數測試系統

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       PMDT熱效率電子元電子元集成電源電路芯片封裝靜態產品參數設置測試圖片方法軟件整體也是款專業于MOSFET、IGBT、SiC   MOS等電子元電子元集成電源電路芯片封裝的靜態產品參數設置測試圖片方法軟件,能夠很防護高效的測試圖片方法軟件熱效率電子元電子元集成電源電路芯片封裝的開關按鈕延遲和消耗的資金,評價電子元電子元集成電源電路芯片封裝的很防護任務區,對電子元電子元集成電源電路芯片封裝和驅程電源電路的漏電保護性性狀通過核實,估測熱效率模塊的雜散電感。      設計重要由雙電磁走勢發生的器,高分數辨率示波器,髙壓電流量感應器,髙壓24v電源、母線電容(電容器)、低雜感母排、自動化檢驗方法系統各種一體化檢驗方法工裝定制根據。設計標準配置許多檢驗方法驅動包板,可蓋住電源電開關主要參數檢驗方法、柵極帶電粒子檢驗方法、斷路檢驗方法、雪崩檢驗方法等,每次檢驗方法必須完畢電源電開關的特點及反相恢復正常的特點檢驗方法;可及時另存檢驗方法最終結果及波形參數的曲線,自動轉為檢驗方法報告模板。


產品特點

● 高電壓達2000V(最大擴展至8kV)
● 大電流達2000A(可擴展至6000A)
● 低寄生電感設計,<20nH寄生電感
● 安全防護機制,集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋,支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化,負載電感自動切換
● 溫度范圍廣,可選高溫模塊(常溫~200℃)或熱流儀(-40℃~200℃)

● 兼容多種封裝,可根據測試需求定制夾具


系統組成.png


測試項目

●  開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性:關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性:反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安全工作區:關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t



測試夾具

共性市上上各種不同打包封裝方式的工作效率半導體行業,如IGBT、SiC、MOS等服務,普賽斯作為每套軟件檢查卡具消除計劃方案,可作于T0單管,半橋模組等服務的軟件檢查

測試夾具.png



軟件界面

軟件界面.png

產品選型

項目正向電壓負向電壓最大電流脈寬范圍
柵極0~30V-20~0V10A0.1μs~200μs
項目最大電壓最大電流短路電流
漏極/集電極2000V2000A(DPT)12kA
項目雜散電感保護響應時間工作環境溫度
系統功能
<20nH  <2us常溫~40℃


PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考:

型號規格高壓差分探頭柔性電流探頭
PMDT20032000V/300A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(15個): 帶寬起步 100M,測量范圍 30AIc(1個大概): 資源帶寬 30M,示值 300A Icsc(3個): 帶寬的配置 30M,量限 12kA
PMDT20102000V/1000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X:350V,2000X: 3500VIg(8個):帶寬起步 100M,示值 30AIc(9個):上行寬帶 30M,滿量程 1200A Icsc(8個):帶寬起步 30M,分度值 12kA
PMDT20202000V/2000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(2個): 帶寬的配置 100M,量限 30AIc(一個): 下行帶寬 30M,量限 3000A Icsc(9個): 下行帶寬 30M,測量范圍 12kA



*不低于尺寸煩請游戲更新,恕不自行決定通報。

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