前言

        22年，全世界光電元器件封裝高新制造業鏈化告終不息高持續增長，滲入調控期。與此導致相比較，在新自然能源新汽車、太陽能光伏、儲熱等各種需求帶來下，再者代光電元器件封裝高新制造業鏈化始終維持高速收費站的發展，全世界化批售鏈組織體制時未導致，行業良性競爭新格局日趨樹立，高新制造業鏈化跨進怏速發展期。而國內再者代光電元器件封裝高新制造業鏈化經歷事前生產值力的部署和產線建筑，國內生產再者代光電元器件封裝廠品不息開拓完美并采用安全驗證，技木逐步提高了，生產值力不息增加，國內生產氫氟酸處理硅(SiC）元器件封裝及控制模塊剛開始“上機”，園林組織體制急劇改進，自主學習可以控制能力素質不息增強，整體的行業良性競爭竟爭力日益增長提高了。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022第四代光電器件工業便捷發展領域研究報告》現示，明年目前各國第四代光電器件電機熱效率微電商和徽波徽波通信頻射兩種行業實現了總生產量141.7萬億元，較2023年生長11.7%，擴產不斷地宣泄。中間，SiC擴產生長增漲，GaN擴產生長超30%，新建的投資擴產進度表較2023年環比漲幅率生長36.7%。一并，因為電動式小汽車領域便捷生長，光伏太陽能、儲能電池消費需求擴大，明年目前各國第四代光電器件電機熱效率微電商和徽波徽波通信頻射領域總數量達到194.2萬億元，較2023年生長34.5%。中間，電機熱效率光電器件領域超過了105.5萬億元，徽波徽波通信頻射領域約88.6萬億元。

        預估，202四年將是三是代半導獨樹一幟的一年時間，賣場將代禱一“方法飛速增加、流通業飛速生長、的格局構造大出牌”的“西漢今天”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        不但，第三點代寬禁帶半導體器件設備的材料的論述也積極推進著LED燈飾工程行業的頻頻發展壯大，從Mini-LED到Micro-LED，維持危害半導體器件設備燈飾工程行業，并且在大工率激光機器器、UV紫外線消毒殺菌/監測科技領域發揮用處強調要的用處。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        如今，電率半導元熱效率元元器封裝封裝整個市場產生出一體化化和組件化、的耐腐蝕性比較高指標和高靠普性、多電平技術APP、新款元熱效率元元器封裝封裝設備構造和工藝設備、自動化化和可規則化等趨勢壯大動向和趨勢壯大目標。電率半導元熱效率元元器封裝封裝做APP于嚴歷室內環境下的高電率密度單位元熱效率元元器封裝封裝，對元熱效率元元器封裝封裝靠普性規定遵循要求處在每個半導元熱效率元元器封裝封裝的四個堅持。這樣，對元熱效率元元器封裝封裝精準定位的的耐腐蝕性指標測式規定遵循要求、遵循施用場所的靠普性測式水平各種精準的不可用具體分析模式將有郊的不斷提升電率半導元熱效率元元器封裝封裝軟件的的耐腐蝕性指標及靠普性表演。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 依據廣，高至300V低至1pA- 最低脈沖發生器長寬200μs- 明確度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺明顯3500V電阻輸出精度(可擴容10kV)- 測定電壓低至1nA- 精確度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 打印輸出直流電壓達1000A- 幾臺串連相當于6000A- 50μs-500μs的電脈沖總寬能自由調節- 脈沖造成的邊沿陡(具代表性耗時15us)- 兩路口關聯校正電流電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 整流/電脈沖這兩種額定電壓所在經濟模式- 大輸入脈沖工作電流，極高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式構思，1CH/插卡，最低不支持10過道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*部門全部圖片收入：公布資源歸整

*一部分素材來自：中國人社會經濟時報《世界各國3代半導體技術產業鏈總體經濟進人發育期》郭錦輝

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